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IRF8302MTR1PBF

型号 :
IRF8302MTR1PBF
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N CH 30V 31A MX
PDF :
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库存 :
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单价 :
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深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦2119房
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6030pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 53nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 31A,10V
供应商器件封装 DIRECTFET™ MX
功率 - 最大值 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET™ 等容 MX
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta),190A(Tc)
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